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V00140 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器

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成都禹治科技有限公司
产品编号:10283
产品标题:V00140 895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
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联系我们: 成都市武侯区大华街10号4-3幢10层2号
发布时间:2024-07-06 07:00
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895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片)概述

该产品是一款GaAs VCSEL芯片,具有894.6 nm的激光波长和单模辐射特性。

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片)参数

  • 波长 / Wavelength : 894.6 nm

  • 类型 / Type : VCSEL芯片(裸片)

  • 正向电压 / Forward Voltage : 1.78 V

  • 芯片技术 / Chip Technology : GaAs VCSEL

  • 应用行业 / Application Industry : 原子钟,磁力计

  • 输出功率 / Output Power : 0.3 mW

  • 阈值电流 / Threshold Current : 0.61 mA

  • 操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -20°C-110°C

  • 储存温度 / Storage Temperature : -40°C-125°C

  • 正向电流(保持单模) / Forward Current To Remain Single Mode : max.1.5mA

  • 正向电流 / Forward Current : max. 3mA

  • 反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation

  • 静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 250V

  • 正向电压 / Forward Voltage : typ. 1.78V

  • 输出功率 / Output Power : typ. 0.3mW

  • 阈值电流 / Threshold Current : typ. 0.61mA

  • 斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 0.37W/A

  • 单模抑制比 / Single-Mode Suppression Ratio : min. 20dB

  • 偏振消光比 / Polarization Extinction Ratio : min. 15dB

  • 峰值波长(真空) / Peak Wavelength (Vaccum) : 894.1nm-895.1nm

  • 光谱线宽 / Spectral Linewidth : max. 100MHz

  • FM调制带宽 / FM Modulation Bandwidth : min. 4.6GHz

  • 波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ.0.06nm/K

  • 视场角(FWHM) / Field Of View At FWHM : typ. 12°

  • 视场角(1/e2) / Field Of View At 1/E2 : typ. 20°

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片)应用

1.原子钟
2.磁力计

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片)特征

1.封装描述:裸片
2.芯片技术:GaAs VCSEL
3.激光波长:894.6 nm
4.辐射特性:单模
5.静电放电:250 V,符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)标准

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片)详述

  • 低发散角

  • 圆形梁剖面

  • 单光谱和空间模式

  • 窄光谱宽度

  • 在温度和电流范围内稳定的SM光束发散发射

  • 沿芯片边缘定向的线性稳定极化

895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片)图片集

光电查介绍

光电查致力于为国内高校、科研院所与工业领域提供优质的光电产品与服务。光电查与来自中国、美国、欧洲、日本的众多光电产品制造商建立了紧密的合作关系,产品包括各类激光器、光学元件、量测设备、激光系统、成像系统等,所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物、科学研究与国防等。

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